Поиск по сайту E-MAIL Главная страница
 

=РТЭ=

 

Кафедра

"Радиотехническая электроника"

 

 

Главная

Образование

Преподаватели

Лаборатории

Наука

Публикации

Наши выпускники

Наши студенты

Наша история

Повышение квалификации

КАФЕДРЕ РАДИОТЕХНИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ60!

 

А.Д. СУШКОВ, В.Б. ЯНКЕВИЧ

История создания кафедры

Кафедра радиотехнической электроники (РТЭ) официально была организована в 1946 г., но ее научные основы были заложены еще в середине 30-х гг. профессором А.А. Шапошниковым, руководившим в то время специальностью и кафедрой электровакуумной техники в ЛЭТИ, и доцентом Ю.А. Кацманом, возглавлявшим на этой кафедре лабораторию специальных ламп. В те годы были проведены фундаментальные исследования методов генерирования электромагнитных колебаний дециметрового диапазона длин волн и разработаны несколько типов оригинальных вакуумных электронных приборов. Среди них наибольший интерес и практическое применение получила миниатюрная лампа штабельной конструкции [1], которая, благодаря малым междуэлектродным расстояниям (порядка 0,1 мм), обеспечивала генерацию и усиление колебаний с длиной волны до 20 — 30 см. С помощью радиоаппаратуры, построенной на основе таких ламп, впервые в УКВ диапазоне была установлена радиосвязь между Ленинградом и Петергофом. В 1940 г. в лаборатории специальных ламп был создан первый в СССР отечественный пролетный клистрон с электростатической фокусировкой. Созданную в 1946 г. кафедру РТЭ возглавил ее организатор — Ю.А. Кацман, активная научная и организаторская деятельность которого определили в первое десятилетие (1946-1956 г.г.) ее быстрое становление и развитие.

Основная направленность научно-исследовательских работ кафедры была связана с исследованием и разработкой электровакуумных приборов (ЭВП) сверхвысоких частот (СВЧ). В тот период под руководством Ю.А. Кацмана была исследована и разработана серия двух- и трехрезонаторных пролетных генераторных, усилительных и умножительных клистронов дециметрового и сантиметрового диапазонов длин волн с выходной мощностью в непрерывном режиме до 1 кВт на частоте 3 ГГц и импульсном — до 350 кВт на частоте 1 ГГц. Кроме того, была показана возможность создания импульсных клистронов мегаваттного уровня. Такие результаты были получены в СССР впервые и находились на уровне лучших мировых достижений ведущих зарубежных фирм, занимавшихся разработкой и производством пролетных клистронов.

Выполненные в первое десятилетие своей деятельности на кафедре РТЭ в рамках правительственной программы развития военно-промышленного комплекса страны фундаментальные исследования и оригинальные авторские разработки, защищенные многочисленными авторскими свидетельствами СССР, дали толчок становлению и бурному развитию новому научному направлению в электронике - микроволновой вакуумной электроники. В те же годы кафедра РТЭ подготовила и направила в НИИ и в КБ, а также на строившиеся новые заводы электронной промышленности, несколько сотен молодых специалистов, которые активно участвовали в создании не только новой элементной базы отечественной радиоэлектроники, но и самой радиоэлектронной аппаратуры и, тем самым, внесли огромный и неоспоримый вклад в становление отечественного электронного приборостроения. Многие выпускники кафедры тех лет впоследствии стали руководителями управлений министерств, НИИ, КБ и крупных промышленных предприятий радиоэлектронного профиля союзного значения. По результатам выполненных только в первое десятилетие НИР аспирантами и преподавателями кафедры было защищено 9 кандидатских диссертаций и одна докторская — Ю.А. Кацман (1956 г.).

Таким образом, на кафедре РТЭ сформировалась авторитетная, признанная в СССР и известная за рубежом научно-педагогическая школа в области микроволновой вакуумной электроники.

В знак глубокого уважения основоположнику научной школы и инженерной специальности по электронному приборостроению в нашей стране профессору А.А. Шапошникову, с именем которого связано основание кафедры РТЭ, в январе 1983 г. на кафедре была установлена мемориальная доска и имя А.А. Шапошникова было присвоено одной из ее учебных лабораторий.

Основными учебными дисциплинами кафедры в первое десятилетие ее существования были: «Электронные лампы», «Электронные и ионные приборы», «Расчет и конструирование электронных ламп», «Приборы СВЧ». Особенность изучения дисциплины по расчету и конструированию электронных ламп заключалась в том, что каждый студент при проведении лабораторных работ должен был самостоятельно собрать (смонтировать) из специально изготовленных на заводе «Светлана» деталей приемно-усилительную лампу и затем, после ее заварки и откачки в технологической лаборатории кафедры, провести исследование лампы, сопоставив расчетные характеристики с экспериментальными.

Для чтения лекций и руководства лабораторными работами на кафедру были приглашены ведущие специалисты завода электронной промышленности «Светлана»: И.В. Стахорский, О.И. Степанова, Э.И. Голованевский. Большую работу по организации, методическому и техническому обеспечению учебного процесса на кафедре провели выпускники кафедры, ставшие впоследствии ее профессорами, доцентами и преподавателями: Е.Г. Волков, А.В. Дракин, Э.А. Северская, А.Д. Сушков, Г.П. Зыбин, Д.Д. Сучалкин, С.И. Молоковский, A.В. Соловьев, А.С. Богомолов, а также первые аспиранты кафедры: B.П. Панов — впоследствии д-р техн. наук, профессор, заслуженный деятель науки РФ, в течение многих лет - заведовавший кафедрой «Электронные приборы» в Рязанском радиотехническом институте (в настоящее время – Рязанская государственная радиотехническая академия); В.Н. Васильев – впоследствии начальник ОКБ ЭП, лауреат Государственной премии СССР; И.И. Зильберман – впоследствии канд. техн. наук, начальник отдела ОКБ ЭП; В.М. Николаев – впоследствии канд. техн. наук, ст. науч. сотр. НИИ ЭФА им. Д. В. Ефремова, лауреат Государственной премии СССР.

Важным результатом научно-исследовательской и учебно-методической работы кафедры в те годы явилось издание монографий Ю.А. Кацмана [2, 3] и учебного пособия Э.И. Голованевского [4]. Монография «Основы расчета радиоламп» — первая из отечественных книг, в которой были систематически изложены методы расчета электронных ламп, включая лампы сверхвысоких частот. Монография широко использовалась в ЛЭТИ и других вузах страны в качестве учебного пособия, а на заводе «Светлана» и на других заводах электронной промышленности — как справочник по методам расчета и проектирования электронных ламп. Учебное пособие Э.И. Голованевского представляло собой конспект лекций и содержало дополнительные материалы по методам расчета электронных ламп, включая тепловые расчеты анодов и сеток. Обе книги прекрасно дополняли ранее написанный А.А. Шапошниковым и получивший широкое признание в стране учебник «Электронные и ионные приборы», Госэнергоиздат, 1932 г., который многократно переиздавался и широко использовался в учебном процессе во многих вузах страны.

В последующие годы, несмотря на смену руководства кафедры (1955-1960 гг. — профессор К.И. Крылов, 1960-1995 гг. — профессор А.Д. Сушков), общая направленность НИР оставалась неизменной. Однако, в связи с усложнением конструкций мощных ЭВП СВЧ (многорезонаторных пролетных клистронов и ламп бегущей волны ) тематика этих работ существенно расширилась и углубилась.

Организация и направления научной деятельности

В 60-х гг. на кафедре были созданы три научные группы по основным разделам микроволновой вакуумной электроники: «Электронные процессы и приборы СВЧ» (научный руководитель доцент А.Д. Сушков), «Оптика интенсивных электронных пучков» (научный руководитель доцент С.И. Молоковский) и «Электродинамические системы приборов СВЧ» (научные руководители доценты Е.Г. Волков и А.Д. Григорьев). В состав этих групп, помимо преподавателей кафедры, вошли научные сотрудники, аспиранты, студенты. Такая организация научных исследований, отражавшая естественные тенденции в развитии микроволновой вакуумной электроники, позволила полнее учесть научные интересы сотрудников кафедры и студентов, существенно расширить круг заказчиков научно-исследовательских работ, а также значительно повысить теоретический уровень выполняемых работ. Тем самым, была создана благоприятная база для повышения научной квалификации преподавателей и подготовки новых высококвалифицированных научно-педагогических кадров. Следует также отметить, что, одновременно, указанная организация научных групп отражала естественные изменения, происходившие в структуре учебного плана кафедры и в содержании учебных дисциплин, в частности: постановку новой дисциплины «Техника сверхвысоких частот», в которой излагались основы электродинамики СВЧ, вопросы теории волноводов, колебательных и замедляющих систем СВЧ, а также расширение содержания дисциплины «Приборы СВЧ» за счет включения в ее рабочую программу нового содержательного оригинального раздела, посвященного методам расчета и проектирования электронно-оптических систем этих приборов.

Основным направлением НИР группы А.Д. Сушкова являлась разработка и исследование методов построения новых электронных приборов. Были исследованы различные методы формирования электронных сгустков и их применение для генерирования СВЧ гармоник и сверхкоротких импульсных сигналов с высокой частотой следования. Разработанные низковольтные перестраиваемые клистронные и триод-клистронные генераторы обеспечивали создание видеоимпульсов с амплитудой до 10-15 В, длительностью 0,35-0,5 нс и частотой повторения от 200 до 1000 МГц, что явилось большим достижением в наноимпульсной технике [6-8]. Высокая эффективность триод-клистронного (гибридного) метода группирования электронов в дальнейшем была использована для построения СВЧ усилительных приборов с высоким КПД (тристронов и клистродов) [9]. Один из таких приборов — 6-киловаттный усилительный клистрод (КВТ-1Б), предназначенный для телевидения дециметрового диапазона [10], был разработан совместно с ОКБ «Светлана» и в сравнении с традиционными пролетными клистронами оказался более перспективным для применения в телевизионных передатчиках нового поколения.

В рамках «гибридной» тематики на кафедре было предложено и исследовано несколько оригинальных конструкций вакуумных приборов с электронной бомбардировкой полупроводника, называемых также электронно-полупроводниковыми приборами. Такие приборы представляют собой комбинацию электронной лампы с полупроводниковым диодом (мишенью), установленным на аноде лампы, и работают в качестве эффективных импульсных усилителей [11]. Одним из интересных побочных результатов исследования таких усилителей явилась разработка ряда конструкций высокочувствительных (до 10-11А) зондовых устройств с полупроводниковыми мишенями, предназначенных для экспериментального, исследования тонкой структуры электронных пучков, формируемых различными электронно-оптическими системами. Важным обобщающим результатом НИР указанной научной группы стала разработка обобщенного подхода к изучению и принципиальному конструированию вакуумных электронных приборов, на основе которого были разработаны программы ряда новых учебных дисциплин кафедры и проводилась работа по созданию метода поиска новых технических решений в области микроволновой вакуумной электроники. По результатам НИР указанного направления аспиранты и соискатели кафедры защитили 15 кандидатских диссертаций, в частности, В.А. Меос, И.Б. Вендик, В.К. Федяев, Г.И. Дмитриев, Б.В. Иванов, А.Д. Тупицын. В 1968 г. докторскую диссертацию защитил А.Д. Сушков.

В начале 70-х годов кафедра, учитывая тенденции развития средств вычислительной техники и предвидя перспективы внедрения в науку и технику новых технологий исследований на базе методов математического и компьютерного моделирования и оптимального проектирования, одной из первых в стране начала интенсивные исследования и разработки в этой области в приложении к перспективным задачам микроволновой вакуумной электроники и со временем заслуженно заняла в указанной области в стране передовые позиции.

Основным направлением НИР группы С.И. Молоковского являлась разработка численных методов расчета и компьютерного моделирования систем формирования и транспортировки интенсивных электронных пучков, включая релятивистские. Направление охватывало широкий класс электронно-оптических систем (ЭОС), предназначенных для различных приборов микроволновой вакуумной электроники, линейных ускорителей заряженных частиц и электронно-лучевых технологических установок. Работа была нацелена прежде всего на разработку новых математических моделей, эффективных алгоритмов и программ решения трехмерных задач интенсивной электронной оптики, включая программы моделирования многолучевых ЭОС и анализа релятивистских электронных пучков с учетом собственных электростатических (кулоновских) и магнитных полей и зависимости массы электронов от скорости их движения. По результатам моделирования были разработаны несколько типов магнитных фокусирующих систем для мощных микроволновых вакуумных приборов, выгодно отличавшихся от аналогов меньшими габаритами и энергопотреблением. Одна из таких систем была использована в серийном телевизионном клистроне КУ-318, а другая — в 6-метровом телескопе Зеленчугской астрофизической обсерватории. Специальная ЭОС была разработана для 120-киловаттной электронно-лучевой сварочной установки, созданной Институтом электросварки АН УССР им. Е.О. Патона.

Важное место в работе уделялось целенаправленному внедрению разработанных методов и вычислительных программ в практику проектирования различных ЭОС на предприятиях и в организациях, связанных с разработкой микроволновых вакуумных приборов, электрофизических и технологических установок, включая: ЛОЭП «Светлана», НИИ «Титан» (г. Москва), Институт прикладной физики АН СССР (г. Горький), Институт высоких температур АН УССР (г. Киев), НИИ ЭФА им. Д.В. Ефремова (г. Ленинград) и др. По результатам выполненных НИР защитили кандидатские диссертации аспиранты В.Ф. Трегубов, Б.Г. Кошаев, А.С. Иванов, А.Л. Меркулов, А.Е. Синев, В.Г. Тихомиров. В 1979 г. докторскую диссертацию защитил С.И. Молоковский. Кроме того, были опубликованы многочисленные статьи и доклады, а также изданы три монографии С.И. Молоковского и А.Д. Сушкова [5, 12, 13].

Третьим научным направлением НИР кафедры, которое развивалось группой А.Д. Григорьева, было теоретическое и экспериментальное исследование резонаторов и резонаторных замедляющих систем с целью построения их физических и математических моделей и разработки эффективных алгоритмов и программ их расчета и проектирования. Сотрудниками этой научной группы был решен ряд актуальных научных задач в области электродинамики СВЧ. Так, были впервые разработаны и реализованы в оригинальных компьютерных программах численные методы оптимизации параметров клистронных резонаторов и регулярных волноводов на основных видах колебаний и типах волн, методы анализа и синтеза резонаторных замедляющих систем. Важным вкладом в электродинамику СВЧ явилась разработка эффективных методов, алгоритмов и программ расчета замедляющих систем типа «цепочка связанных резонаторов». Впервые была решена задача расчета характеристик замедляющих систем вне полос пропускания. Все перечисленные алгоритмы были реализованы в комплексе программ анализа и оптимизации резонаторов и резонаторных замедляющих систем электронных приборов СВЧ и ускорителей заряженных частиц. Широкомасштабное тестирование программ комплекса в ведущих организациях страны, специализировавшихся в области микроволновой вакуумной электроники, показало, что по универсальности, быстродействию и точности расчета они не имели аналогов в СССР и за рубежом, что послужило основанием для их включения в Государственный отраслевой фонд алгоритмов и программ. На протяжении многих лет программы комплекса широко и успешно эксплуатировались на предприятиях страны, связанных с разработкой микроволновых вакуумных приборов специального назначения. По результатам выполненных работ защитили кандидатские диссертации аспиранты В.Д. Лиференко, Е.В. Петров, В.А. Иванов, В.Б. Янкевич, В.А. Мейев, С.А. Силаев, М.Ф. Кокорев, О.В. Букунова, Е.А. Подорожная, Я.В. Андреев и др. В 1984 г. докторскую диссертацию защитил А.Д. Григорьев, а в 1997 – С.А. Силаев. Были опубликованы сотни статей и докладов, а также изданы научный обзор [14], отмеченный редакцией журнала «Зарубежная радиоэлектроника» Почетным Дипломом за лучшую статью года, и, получившая широкое признание специалистов, монография А.Д. Григорьева, В.Б. Янкевича [15]. В 1990 г. вышел из печати учебник А.Д. Григорьева [16] (в 2006 выходит из печати 2-е, переработанное и дополненное издание учебника).

Указанные выше научные исследования кафедры проводились в рамках координационных планов АН СССР по различным проблемам, в частности, «Физическая электроника и электрофизика», целевых комплексных программ Минэлектронпрома СССР по проблемам «Исследования в области генерирования и усиления колебаний СВЧ» и «Электронные, ионные пучки и плазма», а также по программам САПР Минвузов СССР и РСФСР, в рамках которых кафедра РТЭ выступала в качестве учебно-методического центра.

Большой период деятельности кафедры (1968-1988 гг.) был связан с ее работой на факультетах повышения квалификации инженеров (ФПКИ) и преподавателей (ФПКП). Когда в 1968 г. в ЛЭТИ был организован ФПКИ, кафедра открыла в рамках этого факультета курсы повышения квалификации инженерно-технических работников НИИ, КБ и промышленных предприятий по специальности «Электронная техника и приборы». Был разработан учебный план и поставлено несколько новых специальных дисциплин, предусматривающих различные виды занятий (лекции, практические занятия, лабораторные работы; экскурсии на различные предприятия Министерства электронной промышленности). Целью этих курсов было ознакомление слушателей с состоянием, тенденциями и перспективами развития электронного приборостроения, изучение современных методов исследования, моделирования и проектирования электронных приборов и устройств, обучение слушателей работе на ЭВМ, выполнение самостоятельной (выпускной) работы на уровне требований инженерной квалификации. За время работы ФПКИ кафедра обеспечила повышение квалификации более 600 инженеров, в том числе, руководящих работников крупных промышленных предприятий электронного профиля союзного значения. За указанный период во взаимодействии с кафедрой защитили кандидатские диссертации 7 работников ЛОЭП «Светлана»: Р.Я. Рощин, Н.П. Гулина, И.С. Либман, В.И. Преснов, А.И. Бушеев, Э.С. Кухтин, В.А. Клевцов. В работе ФПКИ принимали участие многие преподаватели кафедры, однако наибольший вклад в его организационно-методическое обеспечение внес их бессменный руководитель доцент В.А. Меос, ставший впоследствии заместителем декана ФПКИ.

В рамках другого факультета повышения квалификации — ФПКП, кафедра РТЭ организовала всесоюзные курсы по специальности «Электронные приборы», целью которых был обмен опытом в области учебно-методической работы и постановки НИР в различных вузах страны, а также в области внедрения ЭВМ в учебный процесс. Кроме того, предусматривалось оказание консультаций и других видов помощи в подготовке слушателями диссертационных работ и их защиты на ученых советах ЛЭТИ. За время работы курсов через них прошло свыше 200 человек из 26 вузов страны, в том числе более 100 доцентов и старших преподавателей. Начиная с 1975 г., трижды (один раз в пять лет) кафедра организовывала двухнедельные всесоюзные семинары-совещания заведующих кафедрами, выпускающими инженеров по специальности «Электронные приборы». На этих семинарах руководители кафедр обсуждали актуальные вопросы подготовки инженеров электронной техники, организационные формы и содержание новых дисциплин, перспективы развития специальности.

Успехи кафедры в области математического и компьютерного моделирования позволили усилиями ее преподавателей и сотрудников уже в 70-х гг. организовать на базе вычислительного комплекса АРМ-Р, ЭВМ типа СМ и терминалов ЭВМ серии ЕС первую на факультете электронной техники кафедральную вычислительную лабораторию. В те годы преподавателями и сотрудниками кафедры (признанные приоритеты в этой области принадлежат доценту Г.П. Зыбину) были разработаны оригинальные авторские прикладные программы, что позволило внедрить как в студенческий учебный процесс, так и в учебный процесс на ФПКИ и ФПКП, методы автоматизированного проектирования электронных приборов и устройств. В дальнейшем, по мере своего развития и оснащения современными персональными компьютерами вычислительная лаборатория кафедры первой в ЛЭТИ получила статус факультетской (ФВЛ, руководитель — канд. техн. наук, доцент кафедры А.С. Иванов) и в настоящее время обслуживает учебный процесс не только на кафедрах факультета электроники, но и на кафедрах других факультетов университета.

Активное и эффективное участие кафедры РТЭ в работе факультетов повышения квалификации инженеров и преподавателей способствовало дальнейшему укреплению ее авторитета как ведущей научно-педагогической школы в области микроволновой вакуумной электроники.

В год своего 50-летнего юбилея (1996 г.) штатный преподавательский состав кафедры насчитывал 11 преподавателей: 3 д-ра техн. наук, профессора, 7 канд. техн. наук, доцентов и 1 доцент без степени. Важная роль в организации и обеспечении всех видов деятельности кафедры принадлежит бывшим в разные годы заведующим лабораториями А.Н. Мейеву, Н.М. Огурцову, занимающему в настоящее время эту должность Н.Г. Ломову, старшему технику A.А. Голоденко, техническому секретарю кафедры М.В. Каллистовой, инженеру А.А. Коломийцеву, который все последние годы на высоком профессиональном техническом и методическом уровне обеспечивает бесперебойную работу учебных лабораторий кафедры по циклу дисциплин «Микроволновая электроника».

В 1995 г. кафедру возглавил ее выпускник, канд. техн. наук, доцент В.Б. Янкевич, благодаря активной и целенаправленной организационной и научно-методической деятельности которого кафедра в последние годы значительно упрочила свой авторитет не только на факультете и в университете, но и за его пределами.

В течение последних 10 лет масштабы исследований в традиционном для кафедры научном направлении были существенно углублены и расширены, что способствовало получению качественно новых научных результатов. Так, в частности:

- в рамках исследований, выполненных в области микроволновой вакуумной микроэлектроники, использующей технологию матричных автоэмиссионных микроострийных катодов (такой микрокатод с диаметром в пределах 1 мм может содержать более 10 000 микроострий с характерным размером до 1 мкм) разработаны физические и корпускулярно-оптические принципы построения на основе таких микрокатодов систем формирования субмикронных электронных пучков с высокой плотностью мощности для применения в современных технологиях микро- и наноэлектроники, в микросистемной технике, для выполнения операций по структурной модификации и профилированию поверхности широкого класса конденсированных сред [17];

- построены математические модели высокого уровня, разработаны эффективные алгоритмы и программы компьютерного моделирования магнитных фокусирующих систем на основе новых материалов, с учетом размерных эффектов, с плотной упаковкой электронных лучей для мощных низковольтных малогабаритных многолучевых клистронов миллиметрового диапазона длин волн [18]; нестационарных электромагнитных полей в электродинамических системах, содержащих диспергирующие среды со свободными и связанными зарядами [19]; волновых электромагнитных полей в рабочих камерах микроволновых реакторов [20]; в электродинамических системах линейных ускорителей электронов нового поколения [21]; электромагнитных полей излучения сотовых телефонов (с последующим исследованием воздействия электромагнитного поля излучения на биологические среды), [22] и др.

Перечисленные научные исследования кафедры проводились в рамках грантов РФФИ, Министерства образования, Федеральных целевых программ «Государственная поддержка интеграции высшего образования и фундаментальной науки», «Конверсия и высокие технологии», а также в рамках сотрудничества с компанией «LG ELECTRONICS».

Новые научные направления

В соответствии с естественными тенденциями развития микроволновой и оптической электроники кафедра, начиная с середины 90-х годов, по инициативе и при активной организационной поддержке нового заведующего кафедрой В.Б. Янкевича, существенно расширила область своих научных интересов и начала активные исследования и разработки в новых актуальных научных направлениях:

1. Микроволновые энергосберегающие технологии.

2. Математическое и компьютерное моделирование новых перспективных твердотельных приборов микроволновой и оптической электроники для применения в системах телекоммуникаций с качественно новыми информационными и энергетическими характеристиками.

Микроволновые технологии обработки различных веществ и материалов, базирующиеся на эффектах воздействия микроволнового излучения на различные вещества, имеют большие перспективы развития, поскольку обладают в сравнении с традиционными технологиями аналогичного назначения целым рядом принципиальных преимуществ. В частности, они обеспечивают быстрый объемный нагрев вещества без нарушения его клеточной структуры, сохранность в течение длительного времени его органолептических показателей, характеризуются стерилизующим действием в отношении вредных микроорганизмов - при одновременном резком снижении энергозатрат. Масштабы исследований и объемы финансирования разработок, связанных с гражданским применением микроволн, в последние годы как в России, так и за рубежом, непрерывно возрастают.

На протяжении последних 10 лет кафедра РТЭ ведет активные исследования и разработки в указанной новой перспективной области науки и техники [23]. По инициативе кафедры и при поддержке агропромышленной Ассоциации и администрации Санкт-Петербурга была организована научно-производственная компания ООО «Ингредиент» (главный конструктор – канд. техн. наук, доцент кафедры В.А. Иванов), которая, в свою очередь, способствовала организации на базе ряда промышленных предприятий Санкт-Петербурга высокотехнологичных производственных баз. Фактически весь «мозговой центр» компании составляют выпускники кафедры РТЭ последних лет. Разработанные кафедрой совместно с ООО «ИНГРЕДИЕНТ» микроволновые технологические промышленные установки широкого применения, предназначенные, в частности, для низкотемпературного вакуумного обезвоживания разнообразной продукции сельскохозяйственного производства, лекарственных трав, фармацевтических, строительных и других материалов с автоматизированной системой диагностики и управления параметрами технологического процесса на базе микропроцессоров [24, 25], обеспечивают высокое качество готовой продукции, отмечены Сертификатами качества, защищены многочисленными (свыше 2-х десятков) патентами РФ, награждены Золотыми медалями и Почетными дипломами престижных Международных выставок, по своему уровню соответствуют мировому и находят широкий спрос не только на внутреннем, но и на внешнем рынках (Малайзия, Парагвай, ЮАР). В настоящее время проводятся актуальные исследования процессов переработки под воздействием микроволнового излучения разнообразных технологических отходов; эффектов совместного воздействия микроволнового и ультразвукового излучения на различные материалы с целью целенаправленной модификации их свойств; микроволнового химического синтеза лекарственных средств и их соединений, увеличивающего на несколько порядков скорость протекания химических реакций при существенном увеличении выхода готового продукта.

В рамках другого нового научного направления (научные руководители – канд. техн. наук, доценты М.Ф. Кокорев и Н.А. Малеев) исследования проводятся совместно с лабораториями физики полупроводниковых гетероструктур и физики быстрых процессов в полупроводниках Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН. Среди полученных многих новых значимых научных результатов отметим, в частности, следующие:

- разработаны неразрушающие методы диагностики параметров многослойных ступенчато-легированных эпитаксиальных структур GaAs и InGaAs/GaAs, способствовавших созданию полевого транзистора с барьером Шоттки с качественно новыми электрическими и эксплуатационными характеристиками для усилителей и генераторов 3-см диапазона [26];

- построены математические модели высокого уровня, разработаны эффективные алгоритмы и программы компьютерного моделирования и оптимизации физико-топологических параметров нитрид-галлиевых полупроводниковых квантово-размерных гетероструктур с целью создания на их основе вертикально излучающих лазеров - для применения в оптических системах телекоммуникаций с уникальными эксплуатационными характеристиками [27].

В настоящее время на основе новых оригинальных и эффективных математических моделей, алгоритмов и программ компьютерного моделирования ведется разработка неразрушающей методики диагностики параметров полупроводниковых гетероструктур с модулированным легированием; моделирование полупроводниковых вертикально-излучающих лазеров, ведутся работы по компьютерному моделированию и оптимизации параметров структур дрейфовых полупроводниковых приборов с резким восстановлением для построения на их основе генераторов субнаносекундных импульсов для систем сверхширокополосной связи (UWB), а также по метрологическому обеспечению экспериментальных исследований усилителей мощности высокого уровня на монолитных интегральных схемах, выполненных на основе гетероструктурных транзисторов миллиметрового диапазона.

Двухуровневая система подготовки выпускников

В связи с введением с середины 90-х гг. в нашей стране двухуровневой системы высшего профессионального образования (ВПО) кафедра приняла активное участие в обсуждении методологических основ этой системы, а также в разработке государственных образовательных стандартов (ГОС), учебных планов и программ подготовки бакалавров (1-й уровень, 4 года), магистров (2-й уровень, 6 лет) и дипломированных специалистов (инженеров – 2-й уровень, 5,5 лет) по направлению «Электроника и микроэлектроника». В организации и проведении этой работы как на кафедре, так и на факультете основная заслуга принадлежит В.Б. Янкевичу – в качестве ученого секретаря созданного на базе ЛЭТИ федерального учебно-методического Совета (УМС) по указанному направлению. УМС, в состав которого вошли проректоры и заведующие выпускающими кафедрами многих ведущих вузов РФ электронного профиля, формирует стратегию и координирует всю учебно-методическую и организационно-методическую деятельность по подготовке выпускников в области электроники. Нынешний экспериментальный этап реализации в ЛЭТИ двухуровневой системы ВПО предусматривает прием а магистратуру небольшого числа лучших студентов – выпускников 1-го уровня, получивших диплом бакалавра. Как следствие, магистерская образовательная программа (специализация) предусматривает подготовку магистров по индивидуальному учебному плану, отличающегося значительным объемом часов, выделяемым на научно-исследовательскую работу с последующей защитой магистерской диссертации. На кафедре РТЭ была разработана лицензированная и включенная в действующий ГОС магистерская программа «Микроволновая электроника» (научный руководитель—профессор А.Д. Григорьев), непосредственно отражающая научные интересы кафедры в области микроволновой и оптической электроники, в рамках которой за 8 лет было подготовлено 10 магистров (из них 8 с отличием). Одна магистерская диссертация была подготовлена в исследовательском Центре компании Robert Bosch GmbH (Штуттгарт, Германия, фото 1), получившая первую премию на городском конкурсе «Лучших студенческих научных работ с использованием современных информационных технологий», организованном компаниями «INTEL» и «KEY» [28].

В годы перехода вузов России на двухуровневую систему ВПО, в сложившихся в стране условиях недостаточности и нестабильности бюджетного финансирования, неразвитости механизмов привлечения внебюджетных средств, негибкости действующих органов управления, отсутствия единой, отвечающей международным стандартам, системы контроля качества образования, отсутствия опыта работы вузов в условиях рыночного спроса на образование и адекватной реакции на потребности рынка труда, кафедра РТЭ (единственная на факультете электроники), в лице ее заведующего В.Б. Янкевича и его заместителя по учебной работе А.С. Иванова, была привлечена администрацией университета к реализации 2-х крупных университетских проектов: «Совершенствование управления университетским комплексом как основа повышения эффективности образовательной и научно-технической деятельности» [29] и «Разработка предложений по введению многоуровневой структуры российского высшего профессионального образования, совместимой с европейской системой высшего образования (Болонская конвенция)» [30], выполнявшихся в рамках международного Инновационного Проекта Развития Образования (ИПРО) и финансировавшегося из средств займа Всемирного Банка.

Базовыми учебными дисциплинами кафедры в рамках новых учебных планов подготовки бакалавров, магистров и дипломированных специалистов, построенных на принципах последовательности, преемственности и взаимосвязи дисциплин от семестра к семестру, являются следующие дисциплины федерального компонента соответствующих действующих ГОС:

1. «Информатика» (доценты А.С. Иванов, С.В. Антонов);

2. «Вакуумная и плазменная электроника» (профессор А.Д. Сушков, доцент А.К. Шануренко);

3. «Твердотельная электроника» (доценты Б.Г. Кошаев, Б.В. Иванов);

4. «Электродинамика» (профессор А.Д. Григорьев, доцент В.Б. Янкевич);

5. «Микроволновая техника» (профессор А.Д. Григорьев, доцент А.Д. Тупицын);

6. «Микроволновые твердотельные приборы и устройства» (доцент В.А Иванов);

7. «Микроволновые вакуумные приборы и устройства» (профессоры С.И. Молоковский, С. А. Силаев);

8. «Компьютерное моделирование и проектирование электронных приборов» (доценты Б.Г. Кошаев, А.Е. Синев);

9. Функциональные узлы и устройства микроэлектроники (доценты В.А. Меос, А.Д. Тупицын);

10. «Микроволновая электроника» (профессор А.Д. Григорьев).

Кафедра целенаправленно и активно способствует трудоустройству своих выпускников, внимательно следит за их профессиональной карьерой, что, в свою очередь, стимулировало разработку и включение в образовательную программу кафедры только за последние 5 лет 5-ти новых специальных дисциплин:

11. «Микроволновые системы телекоммуникаций» (доценты В.А. Иванов, А.Д. Тупицын);

12. «Оптические системы телекоммуникаций» (доценты М.Ф. Кокорев, Н.А. Малеев, В.Г. Тихомиров);

13. «Микроволновые технологические и энергетические системы» (профессор А.Д. Григорьев, доцент В.А Иванов);

14. «Ресурсы INTERNET» (доцент А.С. Иванов);

15. «Программные продукты MICROSOFT» (доцент А.С. Иванов).

На кафедре функционируют 7 постоянно действующих и полностью укомплектованных необходимой измерительной аппаратурой учебных лабораторий.

В 2004 г. вышло из печати получившее высокую оценку специалистов, широко востребованное в профильных вузах РФ и пользующееся большой популярностью у студентов учебное пособие А.Д. Сушкова [31], в котором впервые на системном уровне, методически строго и последовательно изложены физико-технические основы вакуумной электроники, составляющие ее научный базис и определяющие с единых позиций принципы действия всего многообразия современных электронных приборов и устройств вакуумной электроники.

Новые образовательные технологии

Кафедра, в соответствии с современными требованиями, предъявляемыми к качеству образования, стремится использовать в своем учебном процессе новые формы его организации, в частности, на базе новых информационных технологий. Так, все курсовые проекты и работы, предусмотренные рабочими программами технических дисциплин кафедры, выполняются в режиме индивидуальной работы на персональных компьютерах (PC) с использованием лицензированных современных универсальных и специализированных программных пакетов, таких как MATHCAD, MATLAB, PUFF, PSPICE, MICROCAP, MICROWAVE OFFICE и др., а также программных продуктов MICROSOFT: WINDOWS, WORD, OFFICE, EXCEL и др. В этих же целях используются и оригинальные авторские программные средства с развитым, удовлетворяющим современным требованиям интерфейсом и с элементами обучающих систем. Все PC кафедры объединены в локальные кафедральную, факультетскую и корпоративную университетскую компьютерные сети со свободным выходом в INTERNET.

Конкретным примером использования в учебном процессе новых информационных технологий служит новая дисциплина «Ресурсы INTERNET», в рамках которой реализована новая эффективная образовательная технология. Последняя, с привлечением студенческих домашних PC, базируется на дистанционной форме выполнения лабораторного практикума, описание которого размещено на сервере ФВЛ. Лабораторный практикум представляет собой набор стандартных задач. Студенты в любое удобное для них время, используя свободный доступ к электронным версиям методических указаний, самостоятельно выполняют индивидуальные задания и результаты пересылают преподавателю по электронной почте. Текущий контроль усвоения студентами учебного материала проводится в форме компьютерного тестирования, предусматривающего выполнение в строго определенное время под личным контролем преподавателя определенного количества индивидуальных контрольных заданий. (Cм. также [32]).

Группой авторов под руководством С.И. Молоковского подготовлен мультимедийный электронный учебник по циклу дисциплин «Микроволновые приборы и устройства» [33], предназначенный для дистанционного обучения. Учебник, официально зарегистрированный в Центре Новых Информационных Технологий (ЦНИТ) ЛЭТИ, выполнен в формате HTML, построен по модульному принципу и содержит большое количество текстовой и графической информации (лекции), задачи и упражнения с примерами типовых решений, контрольные вопросы, тесты для самопроверки, хрестоматии (дайджесты), глоссарий. Для изучения динамических процессов используется анимационная информация в интерактивном режиме работы. Учебник содержит постоянно обновляемые ссылки на доступные страницы INTERNET, содержащие текстовую, графическую и иллюстративную информацию о последних достижениях в области микроволновой вакуумной электроники. Студенты имеют также доступ к электронным версиям различных международных научных журналов, что способствует оперативному получению ими новых знаний и повышению эффективности их самостоятельной работы.

По инициативе кафедры РТЭ и по соглашению с корпорацией MICROSOFT в 1994 г. на базе ФВЛ факультета электроники организован и действует университетский Авторизованный Учебный Центр (АУЦ) MICROSOFT (директор – доцент кафедры РТЭ А.С. Иванов, фото 2). Обучение студентов информационным технологиям MICROSOFT и их тестирование проводят преподаватели и сотрудники кафедры РТЭ. Студенты, успешно прошедшие тестирование, получают официальный университетский сертификат АУЦ MICROSOFT с логотипом компании. Преподаватели и сотрудники кафедры поддерживают функционирующий также на базе ФВЛ факультета университетский Авторизованный Центр Тестирования (АЦТ) PROMETRIC (руководитель – доцент кафедры РТЭ Б.В. Иванов), работающий на основе соглашения с компанией THOMSON PROMETRIC, мировым лидером в организации и проведении тестирования специалистов по информационным технологиям. Студенты старших курсов имеют возможность в стенах университета пройти тестирование и получить сертификаты компаний мировых лидеров компьютерной индустрии (MICROSOFT, IBM, INTEL, NOVELL, HP, ORACLE и др.), свидетельствующие о высоком уровне их практической подготовки в области новых информационных технологий и существенно повышающие их конкурентоспособность на рынке труда.

Итоги деятельности по подготовке инженерных и научно-педагогических кадров.

За 60 лет своей деятельности кафедра РТЭ подготовила по дневной и вечерней формам обучения около 2500 молодых специалистов (что составляет почти одну треть от общего числа выпускников факультета за эти годы), многие из которых достигли больших профессиональных успехов, став директорами промышленных предприятий союзного значения, руководителями научных и производственных подразделений. Среди них О.Н. Шанько (генеральный директор завода «ЗНАМЯ», г. Полтава); В.Г. Мушкарев (генеральный директор НПО «ФОТОН», Ташкент); С.В. Лебединский, В.С. Медовиков, В.И. Пасманник (главные конструкторы микроволновых вакуумных приборов специального назначения, лауреаты Государственных премий СССР, канд. техн. наук, начальники лабораторий НИИ «ТИТАН» г. Москва); кроме того, в период с 1982 по 1993 г.г. В.С. Медовиков - директор филиала МИРЭА при НИИ «ТИТАН»; В.С. Хаби ( канд. техн. наук, начальник отдела НИИ «ИСТОК», г. Фрязино, Московской области); В.А. Клевцов (канд. техн. наук, заместитель генерального директора по научной работе ОАО «СВЕТЛАНА»); Г.С. Петров (начальник отдела ОКБ ЭП АОЗТ «СВЕТЛАНА-ЭЛЕКТРОНПРИБОР»); Ю.Л. Бобровский (д-р физ.-мат. наук, профессор ЛЭИС, ныне СПб ГУТ); И.Б. Вендик (д-р физ.-мат. наук, профессор ЛЭТИ); В. Орлинов, Г. Младенов, С. Сабчевски (доктора техн. наук, профессора, руководители крупных НИИ в Болгарии); У. Лебель (руководитель крупного подразделения компании BOSCH GmbH, Германия), Г. Ольховик (доктор техн. наук, профессор Медицинской академии, г. Люблин, Польша), М. Силади (доктор техн. наук, профессор Тауссонского университета, США).

Многие выпускники кафедры последних лет сделали блестящую профессиональную карьеру по специальности в научно-технических компаниях и фирмах, специализирующихся в различных областях микроволновой и оптической электроники, в том числе, в области микроволновых систем телекоммуникаций и микроволновых технологий (фото 3-6).

Фото 3. Выпускники кафедры А.В. Лактионов (2004 г.) и Ю.А. Синяев (2005 г.) – инженеры 1-й категории, ведущие специалисты лаборатории СВЧ метрики ОАО РНИИ «ЭЛЕКТРОНСТНАДАРТ»

Фото 4. Выпускник аспирантуры кафедры (1997 г) доцент Н.А. Малеев и выпускник с отличием кафедры (1997 г.) аспирант А.Г. Кузьменков ведущие специалисты лаборатории физики полупроводниковых гетероструктур ФТИ РАН.

Трудоустройству выпускников кафедры с учетом потребностей рынка труда и их успешной профессиональной карьере по специальности способствует тесное и постоянно расширяющееся взаимовыгодное сотрудничество кафедры с предприятиями-работодателями, в том числе, в рамках заключенных кафедрой с рядом авторитетных предприятий Договоров о стратегическом партнерстве, в том числе:

1. ЗАО «СВЕТЛАНА-ЭЛЕКТРОНПРИБОР», включающий Договор о платных образовательных услугах и Договор об организации совместной учебно-научной лаборатории «Микроволновой электроники и технологий - МЭТЛаб».

2. ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ им. А.Ф. ИОФФЕ РАН.

3. НПК ЛУЦ НИИ ЭФА им. Д.В. ЕФРЕМОВА.

4. ОАО РНИИ «ЭЛЕКТРОНСТАНДАРТ».

5. НПО «ЭКРОС»

6. ООО «НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ ФИРМА ВОЛЬТА».

7. ООО «ИНГРЕДИЕНТ», включающий Договор об организации совместной научно-исследовательской лаборатории «Энергосберегающие микроволновые технологии обработки материалов».

В рамках своей образовательной и научной деятельности кафедра развивает сотрудничество также и с зарубежными компаниями, в частности с такими авторитетными, как «SIEMENS COMMUNICATIONS» и LG ELECTRONICS.

За прошедшие 60 лет на кафедре было защищено 67 кандидатских и 10 докторских диссертаций, в том числе 7 кандидатских диссертаций защитили иностранные аспиранты из Румынии, Венгрии, Египта, Польши. Две из успешно защищенных в последние годы кандидатских диссертаций были подготовлены по результатам исследований, выполненных уже в рамках указанных выше 2-х новых научных направлений (Н.А. Малеев [26], С.В. Розанов [34]).

 

Фото 5. Выпускник с отличием магистратуры кафедры Р. Салимов

(2005 г.),аспирант кафедры, сотрудник центра программных разработок

ООО LG ELECTRONICS «Russia R & D Centre».

 Фото 6. Студентки 5-го курса кафедры Е. Юрова и З. Астафьева (2007 г)

на преддипломной практике в центре программных разработок

 ООО «SIEMENS NETWORKS».

К своему 60-летнему юбилею (2006 г.) штатный преподавательский состав кафедры заметно увеличился и обновился за счет включения в него целенаправленно подготовленных к преподавательской деятельности молодых и «продвинутых» в своих сферах научной деятельности выпускников кафедры и аспирантуры, на деле доказавших свою верность ее традициям (доценты А.Д. Тупицын, А.Е. Синев, Н.А. Малеев, В.Г. Тихомиров), и в настоящее время насчитывает 14 высококвалифицированных преподавателей: 4 д-ра техн. наук, профессора и 10 канд. техн. наук, доцентов (фото 9).

Фото 7. Преподаватели, сотрудники, студенты, аспиранты и выпускники

кафедры радиотехнической электроники – 2007 г.

Международное признание.

Многолетняя, на протяжении всех 60-ти лет активная и результативная научно-исследовательская деятельность кафедры по актуальным проблемам микроволновой электроники, регулярное участие ее преподавателей, сотрудников, аспирантов и студентов в престижных отечественных и международных конференциях и семинарах, в том числе, в составе их организационных и программных комитетов (А.Д. Сушков, С.И. Молоковский, А.Д. Григорьев – «Актуальные проблемы электронного приборостроения»», «Электроника и радиофизика СВЧ», «Физика и применение микроволн», проводимых при поддержке IEEE, EDS, РАН, РФФИ), определили широкую известность и авторитет кафедры, как в стране, так и за рубежом. Ярким подтверждением этому стало, в частности, персональное приглашение кафедре РТЭ принять участие с демонстрацией своих первых оригинальных разработок пролетных клистронов в юбилейной выставке «50 ЛЕТ МИКРОВОЛНОВОЙ ВАКУУМНОЙ ЭЛЕКТРОНИКЕ», проводившейся в рамках “INT’L MICROWAVE SIMPOSIUM”, SIATTLE, USA, 02.-08.06.2002. Признанием высокого научного уровня работ сотрудников кафедры явились также предложения 2-х авторитетных немецких издательств об издании на немецком [35] (старейшее немецкое издательство «Vieweg & Sohn», Wiesbaden, издававшее еще работы А. Эйнштейна) и на английском [36] («Springer», Heidelberg) языках монографии С.И. Молоковского и А.Д. Сушкова [13].

По инициативе кафедры РТЭ и при поддержке физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН, СПб института аналитического приборостроения РАН и СПб государственного политехнического университета организован постоянно действующий городской ежегодный научный семинар «ДИНАМИКА ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ И КОРПУСКУЛЯРНАЯ ОПТИКА» (зарегистрирован Распоряжением научного Совета по проблеме «Физическая электроника» РАН от 12.04.99., руководитель семинара – С.И. Молоковский).

Признанный как в стране, так и за рубежом высокий научный авторитет кафедры в области математического и компьютерного моделирования волновых электромагнитных полей послужил основанием для организации на базе СПб ГЭТУ «ЛЭТИ», начиная с 2004 г., международного семинара «СОВРЕМЕННЫЕ ПРОБЛЕМЫ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОДИНАМИКИ» (руководители семинара – А.Д. Григорьев, программный комитет и В.Б. Янкевич, организационный комитет) - при поддержке IEEE, Worchester Polytechnic Institute (USA), Warsaw University of Technology (Poland), Institute of Electronics of Chinese Academy of Sciences (China), Физического факультета МГУ, РФФИ [37].

Заключение

Чем дальше уходит в историю дата рождения кафедры РТЭ, тём больше осознается важность и своевременность ее создания, четче вырисовывается преемственность традиций, заложенных основателями кафедры: всегда быть на переднем крае своей науки, теснее связывать учебную работу с наукой и нуждами производства, смелее вовлекать молодых специалистов в решение самых насущных задач. Сохраняя эти традиции и следуя этим целям, мы стараемся не только подготовить на высоком уровне наших студентов к профессиональной сфере деятельности в перспективной области науки и техники. Мы стараемся создавать и поддерживать на нашей кафедре такую атмосферу общения и взаимодействия с нашими студентами и аспирантами, в которой они могли бы чувствовать себя нашими коллегами, членами единой с нами команды, стараемся привить им корпоративное чувство ответственности за высокий авторитет кафедры радиотехнической электроники, а с помощью наших лучших выпускников укреплять авторитет и расширять сферы влияния кафедры во внешнем мире.

 

ЛИТЕРАТУРА

1. Кацман Ю.А., Шапошников А.А. Авторское свидетельство № 39876 от 09.04.1934 г.

2. Кацман Ю.А. Основы расчета радиоламп. — Л.: Госэнергоиздат, 1952.

3. Кацман Ю.А. Вопросы теории многорезонаторных клистронов. — М.: Связьиздат, 1958.

4. Голованевский Э.И. Электронные лампы. Расчет и конструирование. — Л., 1959.

5. Молоковский С.И., Сушков А.Д. Электронно-оптические системы приборов СВЧ. — Л.: Энергия, 1965.

6. Сушков А.Д., Меос В.А. Клистродный метод генерирования нано- и субнаносекундных видеоимпульсов. Ч. 1 и 2. // ЖТФ, 1965, вып. 4, с. 723.

7. Сушков А.Д., Федяев В.К. Расчет пакетирования в триод-клистроне // Изв. вузов. Сер. Радиоэлектроника. 1967, № 11, с. 1033.

8. Сушков А.Д., Федяев В.К. Экспериментальное исследование гармоник тока в триод-клистроне (тристроне) // Изв. вузов. Сер. Радиоэлектроника. 1969, № 1. с. 69.

9. Сушков А.Д., Меос В.А., Федоров В.А. Расчетные параметры триод-клистрона — малогабаритного прибора дециметрового диапазона // Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. 1976, № 2. с. 114.

10. Сушков А.Д., Меос В.А., Федоров В.А. Новый высокоэффективный электронный прибор для ТВ передатчиков УВЧ диапазона // Радиоэлектроника в СПб ГЭТУ, вып. 1, 1995, с. 74-78.

11. Сушков А.Д., Вавилова О.С., Дмитриев Г.И. Вакуумные приборы с электронной бомбардировкой полупроводника // Зарубежная радиоэлектроника. 1981, № 1. с. 60.

12. Молоковский С.И., Сушков А.Д. Интенсивные электронные и ионные пучки. — Л.: Энергия, 1972.

13. Молоковский С.И., Сушков А.Д. Интенсивные электронные и ионные пучки. 2-е изд. — М.: Энергоатомиздат, 1991.

14. Григорьев А.Д., Янкевич В.Б. Численные методы расчета электромагнитных полей свободных волн и колебаний в регулярных волноводах и полых резонаторах. // Зарубежная радиоэлектроника. 1977, № 5. с. 43-67.

15. Григорьев А.Д., Янкевич В.Б. Резонаторы и резонаторные замедляющие системы СВЧ. Численные методы расчета и проектирования. — М.: Радио и связь, 1984.

16. Григорьев А.Д. Электродинамика и техника СВЧ. — М.: Высшая школа, 1990.

17. Молоковский С.И. и др. Отчет о НИР «Исследование и разработка физических и корпускулярно-оптических принципов формирования субмикронных электронных пучков с высокой плотностью мощности». Грант РФФИ. СПб ГЭТУ «ЛЭТИ», 2000.

18. Тихомиров В.Г. Трехмерное численное моделирование многолучевых магнитных фокусирующих систем с плотной упаковкой электронных лучей. / Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. - СПб ГЭТУ «ЛЭТИ», СПб, 2001 (научный руководитель – профессор С.И. Молоковский).

19. Андреев Я.В. Моделирование нестационарных электромагнитных полей в электродинамических системах, содержащих диспергирующие среды и потоки заряженных частиц. / Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. - СПб ГЭТУ «ЛЭТИ», СПб, 2002 (научный руководитель – профессор А.Д. Григорьев).

20. Grigoriev A.D., Kim E.S., Tikhonov R.I. Numerical simulation of electromagnetic fields in microwave ovens // Proc. Int. Symposium on Heating by Electromagnetic Sources – Padua: Univ. of Padua, June, 23-25, 2004, pp. 225-228.

21. S. Silaev, E. Pickulin, V. Malyshev, Y. Svistunov. The modelling of accelerating structures with finite-difference time-domain method // Proc. of EPAC 2004, Lucerne, Switzerland, 5-9 July 2004, p. 2739-2741.

22. Grigoriev A. D., Salimov R. V. High Frequency Electromagnetic Field Simulation byHierarchical Vector Finite Elements Method // Proc. of the Int. Seminar on Modern Problems of Computational Electrodynamics (MPCE-04). – SPb.: SPbSETU "LETI", July. 1-2, 2004, pp. 11-14.

23. Григорьев А.Д., Иванов А.С., Иванов В.А., Янкевич В.Б. Научно-технические разработки кафедры радиотехнической электроники в области микроволновых технологий // Радиоэлектроника в СПб ГЭТУ, 1996, вып. 2. с. 9-13.

24. Ivanov V.A., Paramonenko S.G., Rozanov S.V., Sapunov S.G., Shipkov A.G. An experience of R&D and Operation of Microwave Drying Units With Output power 5-25 kW. // Book of abstracts of 8-th International Conference on Microwave and High Frequency Heating. Bayreuth, Germany, 2001, p. 95-96.

25. Ivanov V.A., Paramonenko S.G., Rozanov S.V., Sapunov G.S., Yankevich V.B. Experience of designing and operation of the industrial microwave equipment constructed under the multigenerators scheme. // Proc. Int. Symposium on Heating by Electromagnetic Sources – Padua: Univ. of Padua, June, 23-25, 2004, pp. 167-172.

26. Малеев Н.А. Методы обработки емкостных характеристик для определения параметров арсенидгаллиевых микроструктур с барьером Шоттки. / Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. - СПб ГЭТУ «ЛЭТИ», СПб, 1997 (научный руководитель – доцент М.Ф. Кокорев).

27. Kokorev M.F., Maleev N.A. & Oth. Self-consistent simulation and C-V profiling of InGaN/GaN MQW structures. Proceedings of 12-th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology ( Edited by Zh. Alferov and L. Esaki ), St.-Petersburg, Russia, June 21-25, 2004, pp.164-165.

28. Прищепенко Б.В. Design and fabrication of SPDT and SPNT networks using RF-MEMS (Исследование и разработка микроволновых микропереключателей на основе копланарных линий). / Диссертация на соискание ученой степени магистра техники и технологий по направлению «Электроника и микроэлектроника». СПб ГЭТУ «ЛЭТИ» - Robert Bosch GmbH (Штуттгарт, Германия), 2003.

29. Иванов А.С.. Янкевич В.Б. Анализ структур управления образовательной деятельностью в ведущих зарубежных вузах. // Труды Международной конференции «Повышение эффективности управления в российских вузах». / ИПРО, НФПК-ЭТУ, СПб, 2001, 14-15 мая, с. 61-66.

30. Пузанков Д.В., Добротин Д.Д., Янкевич В.Б. Опыт введения двухуровневой системы высшего образования в СПбГЭТУ «ЛЭТИ». // В кн. «”Мягкий” путь вхождения российских вузов в Болонский процесс». М.: ОЛМА-ПРЕСС, 2005, с. 229-245.

31. Сушков А.Д. Вакуумная электроника. Физико-технические основы: Учебное пособие. Гриф УМО. – СПб, «Лань», 2004, 464 с.

32. Иванов А.С., Одит М.А., Янкевич В.Б. Концепция дистанционного лабораторного практикума по дисциплине «Твердотельная электроника». // Материалы XI международной конференции «Современные технологии обучения: международный опыт и российские традиции, СТО-2005», т.2, СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 20 апреля 2005, с. 115.

33. Молоковский С.И. и др. Разработка мультимедийного учебника по дисциплине «Микроволновые приборы и устройства». // Материалы 8-ой Международной конференции «Современные технологии обучения. СТО - 2002», СПб, т.2, с.12.

34. Розанов С.В. Исследование процессов массо- и теплопереноса в различных средах под воздействием микроволнового излучения и разработка энергосберегающих микроволновых технологий и установок промышленного применения. / Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. - СПб ГЭТУ «ЛЭТИ», СПб, 2004 (научный руководитель – доцент В.А. Иванов).

35. Sergeij I. Molokovski, Alexander D. Sushkov. INTENSIVE ELEKTRONEN- UND IONENSTRAHLEN. Quellen, Strahlenphysik, Anwendungen”: Friedr. Vieweg & Sohn Verlagsgesellschaft mbH, Braunschveig / Wiesbaden, 1999, 313 p.p.

36. S.I. Molokovsky, A.D. Sushkov. INTENSE ELECTRON AND ION BEAMS. Springer-Berlin-Heidelberg-New York: Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 2005, 281 p.

37. Proceedings of the Int. Seminar on Modern Problems of Computational Electrodynamics (MPCE-04). – SPb.: SPb SETU «LETI», July, 1-2, 2004.

 
 

На главную

 
Назад
Дата последнего обновления: 22.06.2009
  © Copyright 1995-2009 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет.